国产128层QLC闪存已问世 武汉国家存储器基地项目二期开工
访问: 阿里云年中大促 点击领取最高12000元红包 天翼云“年中上云节”全场0.6折起 8888元礼包全场可用 在开工仪式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。 赵伟国表示,国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。其中一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能,二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。 今年4月13日,长江存储重磅宣布,其128层QLC 3D闪存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。 按照长存的说法,这款产品的独特之处在于,它是业内首款128层QLC规格3D NAND,且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。 目前长江存储正在不断提升产能,今年底的目标将达到10万片晶圆/月的产能,这也是整个国家存储器基地一期工程的目标。 本文素材来自互联网 (编辑:江门站长网) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |
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